Optimización del proceso de fabricación de películas delgadas de rutenio y óxido de rutenio

Se fabricaron películas delgadas de rutenio por la técnica de depósito de capa atómica (ALD) usando Bi(etilciclopentadienil) rutenio (Ru(EtCp)2) como precursor y ozono (O3) u oxígeno (O2) como agente oxidante. Se utilizó silicio (100) recubierto con óxido

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Bibliographic Details
Main Author: Solorio Soto, Fernando
Other Authors: Tiznado Vázquez, Hugo Jesús Muñoz Muñoz, Franklin David
Language:Spanish / Castilian
Published: 2021
Subjects:
Online Access:https://repositorioinstitucional.uabc.mx/handle/20.500.12930/534
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