Optimización del proceso de fabricación de películas delgadas de rutenio y óxido de rutenio

Se fabricaron películas delgadas de rutenio por la técnica de depósito de capa atómica (ALD) usando Bi(etilciclopentadienil) rutenio (Ru(EtCp)2) como precursor y ozono (O3) u oxígeno (O2) como agente oxidante. Se utilizó silicio (100) recubierto con óxido

Wedi'i Gadw mewn:
Manylion Llyfryddiaeth
Prif Awdur: Solorio Soto, Fernando
Awduron Eraill: Tiznado Vázquez, Hugo Jesús Muñoz Muñoz, Franklin David
Iaith:spa
Cyhoeddwyd: 2021
Pynciau:
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