Optimización del proceso de fabricación de películas delgadas de rutenio y óxido de rutenio

Se fabricaron películas delgadas de rutenio por la técnica de depósito de capa atómica (ALD) usando Bi(etilciclopentadienil) rutenio (Ru(EtCp)2) como precursor y ozono (O3) u oxígeno (O2) como agente oxidante. Se utilizó silicio (100) recubierto con óxido

Tallennettuna:
Bibliografiset tiedot
Päätekijä: Solorio Soto, Fernando
Muut tekijät: Tiznado Vázquez, Hugo Jesús Muñoz Muñoz, Franklin David
Kieli:spa
Julkaistu: 2021
Aiheet:
Tagit: Lisää tagi
Ei tageja, Lisää ensimmäinen tagi!