Optimización del proceso de fabricación de películas delgadas de rutenio y óxido de rutenio

Se fabricaron películas delgadas de rutenio por la técnica de depósito de capa atómica (ALD) usando Bi(etilciclopentadienil) rutenio (Ru(EtCp)2) como precursor y ozono (O3) u oxígeno (O2) como agente oxidante. Se utilizó silicio (100) recubierto con óxido

محفوظ في:
التفاصيل البيبلوغرافية
المؤلف الرئيسي: Solorio Soto, Fernando
مؤلفون آخرون: Tiznado Vázquez, Hugo Jesús Muñoz Muñoz, Franklin David
اللغة:spa
منشور في: 2021
الموضوعات:
الوسوم: إضافة وسم
لا توجد وسوم, كن أول من يضع وسما على هذه التسجيلة!