Optimización del proceso de fabricación de películas delgadas de rutenio y óxido de rutenio
Se fabricaron películas delgadas de rutenio por la técnica de depósito de capa atómica (ALD) usando Bi(etilciclopentadienil) rutenio (Ru(EtCp)2) como precursor y ozono (O3) u oxígeno (O2) como agente oxidante. Se utilizó silicio (100) recubierto con óxido
محفوظ في:
المؤلف الرئيسي: | |
---|---|
مؤلفون آخرون: | |
اللغة: | spa |
منشور في: |
2021
|
الموضوعات: | |
الوسوم: |
إضافة وسم
لا توجد وسوم, كن أول من يضع وسما على هذه التسجيلة!
|