Optimización del proceso de fabricación de películas delgadas de rutenio y óxido de rutenio

Optimización del proceso de fabricación de películas delgadas de rutenio y óxido de rutenio

Se fabricaron películas delgadas de rutenio por la técnica de depósito de capa atómica (ALD) usando Bi(etilciclopentadienil) rutenio (Ru(EtCp)2) como precursor y ozono (O3) u oxígeno (O2) como agente oxidante. Se utilizó silicio (100) recubierto con óxido

שמור ב:
מידע ביבליוגרפי
מחבר ראשי: Solorio Soto, Fernando
מחברים אחרים: Tiznado Vázquez, Hugo Jesús Muñoz Muñoz, Franklin David
שפה:spa
יצא לאור: 2021
נושאים:
TA418.9.T45 S65 2019
Ingeniería Tesis y disertaciones académicas Películas delgadas
Óxidos metálicos
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