Optimización del proceso de fabricación de películas delgadas de rutenio y óxido de rutenio
Se fabricaron películas delgadas de rutenio por la técnica de depósito de capa atómica (ALD) usando Bi(etilciclopentadienil) rutenio (Ru(EtCp)2) como precursor y ozono (O3) u oxígeno (O2) como agente oxidante. Se utilizó silicio (100) recubierto con óxido
Đã lưu trong:
Tác giả chính: | |
---|---|
Tác giả khác: | |
Ngôn ngữ: | spa |
Được phát hành: |
2021
|
Những chủ đề: | |
Các nhãn: |
Thêm thẻ
Không có thẻ, Là người đầu tiên thẻ bản ghi này!
|