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Modelado de transistores de microondas PHEMT iluminados por medio de un diodo láser /

Modelado de transistores de microondas PHEMT iluminados por medio de un diodo láser /

En este trabajo se ha estudiado al transistor PHEMPT de InP bajo la influencia de iluminación por medio de un dispositivo láser.

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Detalles Bibliográficos
Autor principal: Gómez Roa, Antonio
Lenguaje:spa
Publicado: Universidad Autónoma de Baja California. 2022
Materias:
Transistores PHEMT||Iluminación Ingeniería||Dispositivos láser||Ingeniería||Tesis
TK7871.96.M53 G65 2008
Acceso en línea:https://hdl.handle.net/20.500.12930/9789
https://doi.org/10.57840/uabc-371
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https://doi.org/10.57840/uabc-371

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