Modelado de transistores de microondas PHEMT iluminados por medio de un diodo láser /
En este trabajo se ha estudiado al transistor PHEMPT de InP bajo la influencia de iluminación por medio de un dispositivo láser.
Guardado en:
主要作者: | |
---|---|
语言: | spa |
出版: |
Universidad Autónoma de Baja California.
2022
|
主题: | |
在线阅读: | https://hdl.handle.net/20.500.12930/9789 https://doi.org/10.57840/uabc-371 |
标签: |
添加标签
没有标签, 成为第一个标记此记录!
|