Modelado de transistores de microondas PHEMT iluminados por medio de un diodo láser /
En este trabajo se ha estudiado al transistor PHEMPT de InP bajo la influencia de iluminación por medio de un dispositivo láser.
Guardado en:
Autor principal: | Gómez Roa, Antonio |
---|---|
Lenguaje: | spa |
Publicado: |
Universidad Autónoma de Baja California.
2022
|
Materias: | |
Acceso en línea: | https://hdl.handle.net/20.500.12930/9789 https://doi.org/10.57840/uabc-371 |
Etiquetas: |
Agregar Etiqueta
Sin Etiquetas, Sea el primero en etiquetar este registro!
|
Ejemplares similares
-
Desarrollo de un programa computacional para la medición automatizada de transistores de microondas" /
por: Perez Perez, Luis Alfonso.
Publicado: (2023) -
Sincronización de láseres
por: Aguilar Yáñez, Alejandro
Publicado: (2021) -
Sincronización de láseres caóticos y su aplicación en comunicaciones privadas
por: Cardoza Avedaño, Liliana
Publicado: (2021) -
Desarrollo de una herramienta de cómputo para la obtención de los parámetros de ruido de transistores de efecto de campo para radiofrecuencia, utilizando el modelo de pequeña señal /
por: Rosas Méndez, Patricia Luz Aurora
Publicado: (2021) -
Sistema de visión en 3D mediante barrido láser para nevegación autónoma de robots móviles
por: Básaca Preciado, Luis Carlos
Publicado: (2021)