Modelado de transistores de microondas PHEMT iluminados por medio de un diodo láser /

En este trabajo se ha estudiado al transistor PHEMPT de InP bajo la influencia de iluminación por medio de un dispositivo láser.

محفوظ في:

التفاصيل البيبلوغرافية
المؤلف الرئيسي:	Gómez Roa, Antonio
اللغة:	spa
منشور في:	Universidad Autónoma de Baja California. 2022
الموضوعات:	Transistores PHEMT\|\|Iluminación Ingeniería\|\|Dispositivos láser\|\|Ingeniería\|\|Tesis TK7871.96.M53 G65 2008
الوصول للمادة أونلاين:	https://hdl.handle.net/20.500.12930/9789 https://doi.org/10.57840/uabc-371
الوسوم:	إضافة وسم لا توجد وسوم, كن أول من يضع وسما على هذه التسجيلة!

مواد مشابهة