Modelado de transistores de microondas PHEMT iluminados por medio de un diodo láser /
En este trabajo se ha estudiado al transistor PHEMPT de InP bajo la influencia de iluminación por medio de un dispositivo láser.
Guardat en:
Autor principal: | |
---|---|
Idioma: | spa |
Publicat: |
Universidad Autónoma de Baja California.
2022
|
Matèries: | |
Accés en línia: | https://hdl.handle.net/20.500.12930/9789 https://doi.org/10.57840/uabc-371 |
Etiquetes: |
Afegir etiqueta
Sense etiquetes, Sigues el primer a etiquetar aquest registre!
|