Modelado de transistores de microondas PHEMT iluminados por medio de un diodo láser /
En este trabajo se ha estudiado al transistor PHEMPT de InP bajo la influencia de iluminación por medio de un dispositivo láser.
Wedi'i Gadw mewn:
Prif Awdur: | |
---|---|
Iaith: | spa |
Cyhoeddwyd: |
Universidad Autónoma de Baja California.
2022
|
Pynciau: | |
Mynediad Ar-lein: | https://hdl.handle.net/20.500.12930/9789 https://doi.org/10.57840/uabc-371 |
Tagiau: |
Ychwanegu Tag
Dim Tagiau, Byddwch y cyntaf i dagio'r cofnod hwn!
|