Modelado de transistores de microondas PHEMT iluminados por medio de un diodo láser /

En este trabajo se ha estudiado al transistor PHEMPT de InP bajo la influencia de iluminación por medio de un dispositivo láser.

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Bibliographische Detailangaben
1. Verfasser:	Gómez Roa, Antonio
Sprache:	spa
Veröffentlicht:	Universidad Autónoma de Baja California. 2022
Schlagworte:	Transistores PHEMT\|\|Iluminación Ingeniería\|\|Dispositivos láser\|\|Ingeniería\|\|Tesis TK7871.96.M53 G65 2008
Online Zugang:	https://hdl.handle.net/20.500.12930/9789 https://doi.org/10.57840/uabc-371
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