Modelado de transistores de microondas PHEMT iluminados por medio de un diodo láser /

En este trabajo se ha estudiado al transistor PHEMPT de InP bajo la influencia de iluminación por medio de un dispositivo láser.

Αποθηκεύτηκε σε:

Λεπτομέρειες βιβλιογραφικής εγγραφής
Κύριος συγγραφέας:	Gómez Roa, Antonio
Γλώσσα:	spa
Έκδοση:	Universidad Autónoma de Baja California. 2022
Θέματα:	Transistores PHEMT\|\|Iluminación Ingeniería\|\|Dispositivos láser\|\|Ingeniería\|\|Tesis TK7871.96.M53 G65 2008
Διαθέσιμο Online:	https://hdl.handle.net/20.500.12930/9789 https://doi.org/10.57840/uabc-371
Ετικέτες:	Προσθήκη ετικέτας Δεν υπάρχουν, Καταχωρήστε ετικέτα πρώτοι!

Παρόμοια τεκμήρια