Modelado de transistores de microondas PHEMT iluminados por medio de un diodo láser /

En este trabajo se ha estudiado al transistor PHEMPT de InP bajo la influencia de iluminación por medio de un dispositivo láser.

שמור ב:

מידע ביבליוגרפי
מחבר ראשי:	Gómez Roa, Antonio
שפה:	spa
יצא לאור:	Universidad Autónoma de Baja California. 2022
נושאים:	Transistores PHEMT\|\|Iluminación Ingeniería\|\|Dispositivos láser\|\|Ingeniería\|\|Tesis TK7871.96.M53 G65 2008
גישה מקוונת:	https://hdl.handle.net/20.500.12930/9789 https://doi.org/10.57840/uabc-371
תגים:	הוספת תג אין תגיות, היה/י הראשונ/ה לתייג את הרשומה!

פריטים דומים