Modelado de transistores de microondas PHEMT iluminados por medio de un diodo láser /

En este trabajo se ha estudiado al transistor PHEMPT de InP bajo la influencia de iluminación por medio de un dispositivo láser.

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Autore principale: Gómez Roa, Antonio
Lingua:spa
Pubblicazione: Universidad Autónoma de Baja California. 2022
Soggetti:
Accesso online:https://hdl.handle.net/20.500.12930/9789
https://doi.org/10.57840/uabc-371
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