Modelado de transistores de microondas PHEMT iluminados por medio de un diodo láser /
En este trabajo se ha estudiado al transistor PHEMPT de InP bajo la influencia de iluminación por medio de un dispositivo láser.
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Autore principale: | |
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Lingua: | spa |
Pubblicazione: |
Universidad Autónoma de Baja California.
2022
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Soggetti: | |
Accesso online: | https://hdl.handle.net/20.500.12930/9789 https://doi.org/10.57840/uabc-371 |
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