Modelado de transistores de microondas PHEMT iluminados por medio de un diodo láser /

En este trabajo se ha estudiado al transistor PHEMPT de InP bajo la influencia de iluminación por medio de un dispositivo láser.

Zapisane w:

Opis bibliograficzny
1. autor:	Gómez Roa, Antonio
Język:	spa
Wydane:	Universidad Autónoma de Baja California. 2022
Hasła przedmiotowe:	Transistores PHEMT\|\|Iluminación Ingeniería\|\|Dispositivos láser\|\|Ingeniería\|\|Tesis TK7871.96.M53 G65 2008
Dostęp online:	https://hdl.handle.net/20.500.12930/9789 https://doi.org/10.57840/uabc-371
Etykiety:	Dodaj etykietę Nie ma etykietki, Dołącz pierwszą etykiete!

Podobne zapisy